整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。
LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。
一种集成采样功能的整流桥，即通过采集电路中的输入电流，实现功率分配、电路保护。
开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir，体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖，能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温漏电流，能更好的满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
沃尔德LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速度，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速度快等特点，能满足产品温升和效率的要求。
沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德SJ（超结）MOS采用多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速度快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。
今天，沃尔德半导体推出一款在低功耗和高能效方面表现出色的器件—TSP10L300D-S肖特基二极管。
产品特性：
· Trench工艺：通过沟槽的横向电场加成，实现更低的VF；
· 具有低正向压降：VF<0.61V@1A,125℃；
· 高效率：低正向压降使电源产品效率更高；
· 低漏电：IR＜20uA，125℃，提高了产品的可靠性；
产品参数对比：
静态数据：
动态测试：
测试条件：输入220VAC/50Hz，输出48V/1.5A，环境温度25℃。
SBR工艺产品与TSP10L300D-S的上机温度对比
SBR工艺产品与TSP10L300D-S的上机效率对比
应用领域：
沃尔德半导体是一家以分立器件为核心，致力于分立器件研发、生产和销售的国家高新技术企业，为客户提供更高能效转换的半导体产品，并提供更加专业的服务。公司总部位于深圳，在成都、无锡设有应用中心、研发中心和销售中心，海外设有联络点。
查询授权经销
中文
English
日本語
