整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。
LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。
一种集成采样功能的整流桥，即通过采集电路中的输入电流，实现功率分配、电路保护。
开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir，体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖，能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温漏电流，能更好的满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
沃尔德LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速度，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速度快等特点，能满足产品温升和效率的要求。
沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德SJ（超结）MOS采用多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速度快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。
全球能源转型加速，工业自动化、5G基站、AI服务器等高密度设备需求激增，电源设计面临两大挑战——能效升级与散热优化！与此同时，各国碳减排政策趋严，市场亟需兼顾低损耗、高可靠性的功率器件。
NEWP®品牌的ES8HSP应势而生：以500V耐压、1.65V超低正向压降（VF@8A）为核心优势，直击行业痛点，助力电源系统效率突破95%+，为绿色能源转型注入“芯”动力！
一 核心参数
1.Trr：35ns
2.VB:500V
3.封装：贴片封装TO-277
4.具有低正向压降：VF<0.72V@1A,125℃
5.低漏电：10uA@125℃，较小的反向漏电流IR，减少反向功率损耗
二 测试数据对比
动态数据对比：
测试条件：输入120VAC/60HZ，输出42V/2.5A，环境温度25℃
数据表明，沃尔德半导体的ES8HSP跟市面上同规格的8A，600V的相比，VF值低0.1V，温度低5.4℃。
三 应用原理图
应用原理图
LED电源反激架构原理图
四 应用领域
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