整流桥产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
肖特基整流桥产品是由4颗肖特基硅二极管桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘朔料封装而成。
LOW VF整流桥产品是由四只低压降整流硅芯片作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。LOW VF即是正向压降极低的整流桥。
逆变桥是由四颗快恢复二极管整合一起，即将四颗芯片封装到一个支架上作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是直流输出端的“负极”，另两个引脚是交流输入端，外用绝缘塑料封装而成。
一种集成采样功能的整流桥，即通过采集电路中的输入电流，实现功率分配、电路保护。
开关桥是由四只高速开关二极管作桥式连接，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，外用绝缘塑封而成。
沃尔德高压肖特基二极管具有较低的VF值和极低的反向漏电流Ir，体现出良好的低温升特性。VRRM高达350V,电流从5A到40A全覆盖，能更好的满足高压输出电源的高效率、高可靠性的需求。
沃尔德 LOW VF肖特基二极管采用先进的Trench工艺，具有较低的VF值和极低的高温漏电流，能更好的满足电源产品的高效率，高可靠性的需求。
沃尔德LOW Trr超快恢复二极管具有极低的反向恢复时间Trr和极低的反向恢复电荷Qrr，并具有超快的开关速度，应用于硬开关条件下的PFC电路和高压高频电源的次级整流电路。
沃尔德SGT MOS 具有极低的RDs(on) 、低的Qg和Ciss ，并具有开关速度快等特点，能满足产品温升和效率的要求。
沃尔德Planar MOS 具有低的RDs(on)和Ciss 并具有强的EAS性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德Trench MOS 具有较低的RDs(on) 、Qg和Ciss ，开关速度快并具有强的EAS性能和抗短路性能等特点，能满足产品高效和可靠的要求。
沃尔德SJ（超结）MOS采用多层外延工艺，具有低RDS（on）、结电容小、Qg 小，易驱动、开关速度快的特点，使电源更容易实现高效率，高可靠性。
整流桥作为电子领域中广泛使用的元器件，其主要功能是实现交直流的转换。沃尔德半导体提供一系列完整的整流桥产品，为用户提供最完善可靠的解决方案。
沃尔德半导体的整流桥产品线丰富多样，满足不同应用场景的需求。
01 软桥（平滑关断，减少谐波）
电流：0.8-15A，电压：600-1000V。
多种封装可供选择：
02 Low VF桥（低压降，高效率）
电流：4-60A，电压：600-800V。
多种封装可供选择：
03 逆变桥（四芯合一，TRR小）
电流：2-80A，电压：300-1200V。
多种封装可供选择：
04 肖特基桥（低压降，低漏电）
电流：1-60A，电压：40-150V。
多种封装可供选择：
05 采样桥（集成精密电阻）
电流：15-35A，电压：600-1000V。
06 普通桥（性价比高）
电流：0.8-50A，电压：600-1000V。
多种封装可供选择：
07 应用场景
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